投资 1.5 万亿日元，为英伟达等供应 AI 芯片

美光科技宣布在日本广岛启动半导体工厂扩建项目，总投资达1.5万亿日元（约合631.14亿元人民币），主要生产高带宽内存等先进存储芯片，计划于2028年投产。日本经济产业省将为此项目提供最高5000亿日元（约合210.38亿元人民币）的补贴支持。

该项目由美光科技负责建设，旨在满足人工智能领域对高性能存储芯片的强劲需求。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉在开工仪式上表示，公司首片用于AI核心存储技术的HBM生产晶圆正是在广岛制造，他称赞日本精湛工艺与美国创新魄力的结合带来了世界一流的产品。

高带宽内存是AI芯片的关键组件，广泛应用于英伟达等科技巨头的GPU产品中。美光此次扩建将显著提升其在HBM领域的产能，巩固其在全球存储市场的地位。据悉，新工厂将采用最先进的制造工艺，以生产更高密度、更低功耗的存储芯片。

日本政府的大力支持反映了该国重振半导体产业的决心。近年来，日本通过补贴吸引台积电、美光等国际芯片巨头在当地建厂，以增强供应链安全和经济竞争力。此次对美光的资助是日本半导体战略的重要组成部分。

分析人士指出，美光广岛工厂的扩建将带动当地就业和产业链发展，同时有助于缓解AI芯片供应紧张的局面。随着人工智能应用爆发式增长，高性能存储芯片的需求持续攀升，美光的产能扩张有望为行业注入新动力。

展望未来，美光计划在广岛工厂持续投入，并可能进一步扩大在日本的生产规模。该公司此前已宣布将在日本建设另一座先进封测工厂，以完善其全球制造布局。此次扩建标志着美光与日本在半导体领域的合作迈上新台阶，也为全球AI基础设施的构建提供了关键支持。