- 发布日期
台积电：A14 制程过去三个月进展迅速，手机、AI 等领域客户兴趣强烈
- 作者
- 姓名
- 荷鲁斯快报
- 社交账号
台积电在近日的财报电话会上透露，其A14（1.4纳米级）制程在过去三个月内取得显著进展，成熟速度明显快于此前N2制程的同期表现。台积电CEO魏哲家表示，智能手机、人工智能和高性能计算领域的客户对A14表现出强烈兴趣，并已积极投入设计工作。
据外媒Tom's Hardware报道，台积电在A14制程的开发中取得了快速突破。目前，内部测试载具的器件性能已接近目标水平的90%，256Mb SRAM良率也接近90%。A14预计将于2028年下半年投入量产，但当前进度远超预期。今年4月时，器件性能刚超过85%，SRAM良率超过80%，而仅三个月后，两项数据双双逼近90%，显示出惊人的提升速度。
相比之下，N2制程在相同开发阶段的表现明显较慢。2023年4月，N2的器件性能超过80%，但SRAM良率仅略高于50%；直到2024年4月，N2才实现器件性能超过90%、SRAM良率超过80%的成果。尽管不同制程的开发进度无法完全横向比较，但现有数据表明，A14的成熟速度大幅领先于N2。
分析认为，这一差异可能与台积电逐渐掌握全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术有关。N2是台积电首款采用GAA纳米片晶体管的制程，开发时缺乏生产经验；而A14采用第二代GAA器件，能够充分利用N2开发及扩产过程中积累的设计、优化和制造经验。台积电已解决A14与N2中的大量良率瓶颈，但256Mb SRAM的高良率主要证明测试结构的低缺陷密度，尚不能直接等同于商用处理器的功能良率和参数良率。
A14距离预计量产时间仍有约两年半，但器件性能和SRAM良率均已接近90%，整体进度远超同期N2。只要客户设计及时完成，台积电可能提前启动A14大批量生产，或在量产初期实现高于通常水平的良率。魏哲家透露，客户正加快A14芯片设计，争取提前完成流片，释放出积极信号。
在技术规格方面，A14结合了第二代GAA纳米片晶体管和全新标准单元架构，旨在同时提升性能、能效和晶体管密度。与N2相比，在相同功耗和晶体管数量下，A14性能预计提升10%至15%；在相同运行频率和设计复杂度下，功耗预计降低25%至30%。混合设计的晶体管密度预计提高约20%，逻辑设计则提高23%。
台积电的A14制程进展表明，公司在先进半导体工艺上持续领先。随着客户设计的加速推进，A14有望在2028年如期甚至提前量产，为智能手机、AI和高性能计算领域带来更强性能与能效的芯片。业界正密切关注这一制程的后续开发及其对行业竞争格局的影响。
