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NVIDIA发布NVHBM定制高带宽内存 带宽较HBM4E最高提升30%

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英伟达日前正式公布了名为NVHBM的定制高带宽内存技术,这标志着其对传统高带宽内存架构的一次重要革新。与主流HBM方案将内存控制器集成在计算芯片上不同,NVHBM将相关功能下沉至3D HBM堆叠的基底裸片中。英伟达计划在未来GPU产品线中率先采用该技术,并通过NVLink Fusion接口将其开放给第三方XPU客户。

传统HBM架构通常会在计算裸片上部署内存控制器,这不可避免地占用了原本可用于计算单元的宝贵硅片面积。NVHBM的设计则通过将控制器转移至HBM堆叠内部,旨在同时改善带宽、能效以及计算裸片的可用面积。根据英伟达提供的数据,相比标准的HBM4E技术,NVHBM最高可实现30%的内存带宽提升,同时降低15%的HBM功耗,并让处理器计算裸片获得最高25%的额外可用面积。

面积上的显著节省主要得益于重新设计的物理内存接口。标准HBM采用较宽的接口连接,会扩大封装占用空间;而NVHBM采用的定制PHY可将I/O面积较JEDEC HBM4E标准最多缩减67%。更窄的接口还简化了中介层布线,据称可在整体布局中释放最多80%的额外可用硅片空间。英伟达指出,PHY占用缩小意味着中介层上的布线限制减少,这对于在大型计算裸片旁集成多组HBM堆叠的先进封装方案尤为重要。

在能耗方面,HBM功耗降低15%的意义不止于提升效率,也能为计算裸片释放更多散热余量。这一优势对企业级部署和数据中心尤为关键:当数千个计算单元在数百个机架中同时运行时,单个组件的能效改善将被显著放大。英伟达以一座采用2000W XPU、总功率规模达到1GW的数据中心为例称,节省下来的电力余量理论上可支持额外部署最多1.5万个XPU,这凸显了该技术对大规模计算基础设施的潜在经济价值。

值得关注的是,三星电子日前在Hot Chips 2026大会上确认,正准备出货单引脚速率达16Gbps的HBM4E。相较当前14Gbps的版本,新型HBM4E能提供更高带宽。现有14Gbps HBM4E通过2048个引脚可提供每堆叠3.6TB/s的带宽,而16Gbps版本则可将这一数值提升至4TB/s。若以此为基础叠加英伟达所宣称的30%带宽增幅,单组NVHBM的理论带宽有望达到约5.2TB/s。

英伟达表示,NVHBM将接受多家内存供应商的验证,以简化客户的供应商认证流程,推动技术普及。目前,亚马逊旗下云服务商安纳普尔纳实验室已成为首家确认将与英伟达合作推进NVHBM的伙伴。这一合作预示着NVHBM生态系统的初步建立,其未来在高性能计算和AI加速领域的实际表现有待后续产品验证。

阅读原文 →来源:cnbeta