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三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
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- 荷鲁斯快报
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随着人工智能产业对高带宽内存（HBM）需求持续攀升，三星电子正加速布局新一代HBM4产品。据韩国媒体报道，三星晶圆代工业务部门已将约50%至60%的4纳米工艺产能用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，相关产线已接近满负荷运转状态。
HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，被视为未来高性能AI加速器的关键组件。与以往产品相比，HBM4对底层芯片的依赖显著提升。底层芯片位于多层堆叠DRAM晶粒下方，负责内存与计算核心之间的数据传输，并可整合更多逻辑电路功能。
三星采用自家4纳米SF4工艺生产HBM4底层芯片，主要产线位于平泽第二与第三园区的S5、S6。业内人士透露，目前4纳米产线中约50%至60%的产能被用于HBM4底层芯片制造，预计这一比例将在未来数月内保持高位。
推动产能调整的重要原因，是市场对定制化HBM方案的需求迅速增加。越来越多客户希望在底层芯片中直接整合专属逻辑模块，如内存控制器、PHY接口电路等。这可将部分电路从主计算芯片转移至HBM底层，降低芯片面积占用，提高整体设计效率。
这一趋势在ASIC市场尤为明显。谷歌、微软、亚马逊等云服务企业持续开发自研AI加速器，对定制HBM4产品的需求不断增长。三星同时拥有存储器、晶圆代工和先进封装业务，被认为在提供定制化HBM解决方案方面具备独特优势。
市场份额变化也反映出三星的快速追赶。2026年第二季度，三星HBM市场份额按营收计算达到38%，较一年前约15%的水平大幅增长；同期SK海力士份额从64%下降至50%。越来越多客户开始采取多供应商策略，以降低供应链风险。
三星已向客户提供HBM4样品，并计划在2026年下半年全面扩大出货规模。公司预计第三季度HBM4业务收入将环比增长逾三倍，下半年HBM4收入有望占到HBM总营收的60%以上。分析人士认为，随着英伟达下一代Rubin平台及更多定制AI芯片陆续量产，HBM4很可能成为未来几年半导体产业增长最快的领域之一，三星有望进一步缩小与SK海力士之间的差距。
