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马斯克称中国拥有全球最强规模化制造能力 先进存储芯片或成下一个突破口
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- 荷鲁斯快报
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美国太空探索技术公司（SpaceX）首席执行官埃隆·马斯克近日在社交平台X上表示，中国一旦掌握某种产品的制造方法，其规模化生产能力往往能超过世界其他地区总和。他认为，锂电池和太阳能产业已充分体现这一特点，而SpaceX是少数能在规模化生产方面持续领先中国的例外。与此同时，随着中国存储芯片制造商提升产能和技术水平，马斯克将目光投向内存芯片领域，认为先进存储技术仍面临更难克服的挑战。
马斯克是在社交平台X上回应中国存储芯片产业发展讨论时发表上述看法的。他指出，中国掌握制造技术后，可凭产业规模、制造能力和供应链体系迅速扩大产量。锂电池和太阳能电池板是典型例子，中国企业不仅大规模生产，还在成本控制和产业链配套方面形成明显优势。
在马斯克看来，SpaceX是这一规律中的特殊案例。他称，SpaceX向太空运送的载荷总量大约是世界其他地区总和的一个数量级，这里主要指火箭将卫星及其他有效载荷送入轨道的能力，而非单纯比较发射次数。SpaceX的优势与可重复使用火箭和高频次发射体系密切相关，猎鹰9号火箭实现一级助推器重复使用，大幅降低部分任务边际成本，而星链卫星互联网星座的部署也提供了稳定且规模庞大的内部发射需求。
与航天产业相比，半导体存储器制造是更复杂的规模化生产挑战。中国已建立相当规模的存储芯片产业，并加快追赶全球领先厂商。马斯克认为，尽管中国在部分存储产品上取得进展，但高带宽内存以及先进的三维堆叠存储技术仍更难攻克。他特别提到随机存取存储器（RAM），指出大约三年前存储器还是利润率较低、高度标准化的商品，如今在人工智能迅速扩张下，内存已成为影响高性能计算系统发展的重要资源。
在智能手机和笔记本电脑中使用的低功耗存储器通常遵循成熟行业标准。具备半导体制造基础的企业掌握相关技术后，可通过扩大生产规模、提高良率和完善供应链增强竞争力，马斯克认为中国似乎正较快解决这类产品制造问题。但高带宽内存（HBM）挑战不同，它主要用于人工智能加速器和高性能计算系统，需要在有限空间内提供极高数据传输带宽，同时控制功耗、发热和信号完整性，涉及存储芯片设计、先进封装、垂直互连和热管理等多个环节。HBM通常采用多层DRAM芯片垂直堆叠结构，并通过硅通孔等技术实现高速连接，任何一层缺陷都可能影响良率和可靠性，散热也随堆叠层数增加而更困难。
中国存储芯片制造商长鑫存储近年来持续扩大DRAM业务，并逐步提升产品技术水平。根据TrendForce数据，2026年第二季度，长鑫存储在全球DRAM市场营收份额升至9.5%，高于第一季度的7.6%。同期，三星电子份额为39.4%，SK海力士为24.9%，美光科技为23.3%。这些数据表明，长鑫存储地位正在上升，但与三星、SK海力士和美光相比仍有明显差距，尤其在高带宽内存领域，竞争还涉及先进封装、产品验证、良率和大规模交付能力，普通DRAM份额并不等同于HBM竞争力。
目前，全球人工智能产业对存储器需求仍在快速增长。大型科技公司持续建设数据中心，训练和运行人工智能模型所需GPU数量不断增加，而每套高性能计算系统都需配备大量内存，HBM供应能力因此成为影响人工智能加速器产量的重要因素之一。对中国企业而言，扩大传统DRAM产能可提高市场份额，进入高端人工智能存储器市场则需在设计、制造、先进封装和可靠性验证等环节持续突破。马斯克的相关言论也与其推进的半导体计划有关，特斯拉和SpaceX此前宣布名为Terafab的芯片制造项目，计划在美国建设规模庞大的半导体制造设施，并将逻辑芯片制造、存储器制造及先进封装等环节整合到同一体系内。不过，建设先进半导体制造工厂与扩大火箭生产并非同一类挑战，半导体制造需要长期工艺经验、巨额资本设备和洁净室环境下的高度精密流程。总体而言，马斯克此次评论反映出，掌握一项技术并不等于具备将其转化为大规模、低成本、高良率产品的能力；中国在锂电池和太阳能产业中的规模化优势突出，SpaceX则凭火箭重复使用和高频次发射形成竞争壁垒，而存储芯片领域尤其是HBM，仍是未来全球半导体产业竞争的重要看点。
