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Counterpoint：三季度全球 DRAM 营收逼近 2000 亿美元，同比大增 369% 实现超级周期
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- 荷鲁斯快报
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市场研究机构Counterpoint Research 11月5日发布的《全球内存市场追踪》报告显示，2026年第三季度全球DRAM市场营收接近2000亿美元，同比增长369%，接近去年同期的5倍。报告指出，增长主要由价格上涨推动，当季DRAM单位出货量环比仅增长约4%，每Gb平均售价达到1.9美元。
Counterpoint高级分析师Jeongku Choi表示，本轮行情属于价格推动的超级周期，而非出货量周期。AI已将内存从普通大宗商品转变为高价值稀缺资源，买家当前核心动作是争抢供应而非议价。他预计，存储厂商下一季度将再创新盈利纪录。
分厂商看，三星电子以38%的市场份额稳居第一。SK海力士环比营收增长超过40%，大幅缩小与三星的差距；美光受AI数据中心内存需求拉动表现强劲，但增速落后于三星与SK海力士。长鑫存储份额从二季度的10%降至三季度的9%，随着竞争对手从四季度开始出货溢价更高的HBM4产品，其份额预计持续承压。
产品结构方面，HBM营收几乎翻倍，但其在DRAM总营收中的占比反而下降，原因是传统DRAM增长更快。Counterpoint研究总监MS Hwang表示，SK海力士此前在HBM3E市场占优，而三星HBM4获得客户积极反馈，预计三星明年成为HBM市场份额最高的厂商。
传统DRAM需求增长也与AI基础设施变化有关。Counterpoint副总监Brady Wang称，AI智能体推动传统DRAM需求增长，GPU与CPU配比已从4:1缩小至2:1，并趋向1:1。以英伟达Vera Rubin机架为例，每颗CPU插槽搭载的DRAM容量增至1.5TB，接近上一代产品的3倍。DDR和LPDDR平均售价均升至历史高位，营收同比分别增长500%和接近400%。
对于后续走势，MS Hwang表示，内存价格明年仍有望保持强势。HBM价格正在追赶传统DRAM，长期供货协议对价格形成支撑。主要厂商新晶圆厂预计2028年才投产，供应紧张或将延续，短期业绩会因LTA条款存在差异，但长期均保持向上走势。
