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台积电否认应英伟达要求研发3D DRAM 强调专注逻辑芯片代工核心业务
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- 荷鲁斯快报
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针对The Information关于台积电应英伟达要求研发3D DRAM的报道，台积电11月8日予以否认。公司发言人回应Tom's Hardware称，台积电始终专注于专业集成电路代工核心业务。该发言人强调，公司使命是持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。
此前The Information报道称，随着人工智能硬件需求激增，全球DRAM内存供应持续紧张、价格不断上涨，台积电正应英伟达要求研究开发3D DRAM。报道援引两名了解该计划的人士称，在最大客户英伟达提出要求后，台积电已开始为3D DRAM制造业务制定相关计划。若计划落地，台积电将开辟新业务并扩大在AI供应链中的影响力，但也需面对内存市场周期性波动风险。
报道还称，相关工作由台积电副总裁徐国晋监督。徐国晋负责公司先进封装业务，此前曾担任美光科技台湾地区业务负责人。不过，台积电本身并不具备DRAM制造所需的专业技术和生产能力，更不用说3D DRAM；即便决定推进，3D DRAM距离真正量产仍有数年时间，至少未来五年内无法缓解当前内存短缺。
当前全球内存供应短缺使DRAM从普通商品逐渐转变为战略性资源，甚至可能决定企业能否按时向客户交付产品。全球三大DRAM制造商美光、三星和SK海力士均在推进各自3D DRAM项目。美光的DRAM技术路线图显示，在真正实现3D DRAM之前，该公司至少还要推出四代平面DRAM制程技术，台积电若进入该领域必须自行开发完全不同的制造流程。
若台积电决定进入DRAM市场，一种可行方案是收购一家拥有自有晶圆厂的小型专业内存制造商，从而获得进入先进DRAM制造领域的现实途径。但小型厂商通常不具备最先进的主流DRAM制程，台积电仍需投入数十亿美元并花费数年研发。新增产能还可能导致市场供过于求，压低产品价格和企业利润，使台积电在进军DRAM市场前更加谨慎。
台积电进入DRAM业务还可能影响其与大型内存制造商尤其是SK海力士的合作关系。2024年，SK海力士与台积电达成合作，将由台积电为下一代高带宽内存产品制造逻辑基底芯片。若台积电未来成为DRAM供应商，双方合作可能变得更加复杂；同时，台积电已在先进逻辑芯片制造和先进封装领域占据主导，若再扩大内存生产，形成垂直整合体系，可能引发监管机构反垄断审查。
事实上，台积电并不一定需要亲自生产DRAM才能分享先进内存需求增长红利。公司可为HBM制造复杂逻辑基底芯片，利用SoIC混合键合技术将内存与处理器集成，并与创意电子和成熟DRAM制造商合作开发定制化内存解决方案。通过这条路线，台积电可扩大在先进内存市场的影响力，同时避免从零研发竞争性DRAM制程所需巨额投入，也无需耗资数百亿美元建设更多晶圆厂。
