- 发布日期
瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域
- 作者
- 姓名
- 荷鲁斯快报
- 社交账号
日本半导体厂商瑞萨电子10月6日宣布，推出公司首款低压氮化镓（GaN）功率半导体产品，正式将GaN技术版图扩展至低压领域。该产品为100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化以及工业电机驱动等热门应用方向。这一新品是瑞萨在完成对美国GaN厂商Transphorm收购后，面向低压市场推出的又一重要布局。业界普遍认为，低压GaN器件将在高密度电源设计中发挥关键作用。
本次发布的型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC，具备出色的硬开关与软开关优值（FOM）表现。与同类GaN器件相比，其硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%，显示出显著的性能优势。这些低压GaN器件还保持了与硅器件兼容的封装尺寸，便于客户导入现有设计方案。
在能效方面，该系列产品相比传统硅基设计，整体效率可提升1%至3%，同时消除Qrr（反向恢复电荷）损耗。其开关损耗相比硅方案大幅降低40%至70%，在高频开关应用中表现尤为突出。优值（FOM）是衡量功率器件综合性能的常用指标，数值越低意味着在相同损耗下可支持更高开关频率，而GaN器件的FOM通常仅为硅MOSFET的二十分之一左右。
产品提供多种标准MOSFET兼容封装，客户能够快速从硅MOSFET布局迁移至GaN方案，无需对PCB进行大幅重新设计。这一兼容性设计大大降低了客户的技术切换门槛，有利于GaN在中低压市场的快速普及。瑞萨方面表示，此举旨在帮助下游客户以更低导入成本享受GaN带来的效率与功率密度收益。
氮化镓作为宽禁带半导体材料，禁带宽度约为3.4电子伏特，远高于硅的约1.12电子伏特，临界击穿电场约为硅的10倍。GaN功率器件依托AlGaN/GaN异质结界面因极化效应形成的二维电子气导电，具备更快开关速度、更低栅极电荷与输出电容，且几乎无反向恢复电荷损耗。这些特性使其在高频、高效率电源应用中优势明显。
从技术路线看，GaN功率器件主要分为增强型（E-mode）与耗尽型（D-mode）共源共栅两大类。瑞萨此前的GaN产品多基于其2024年6月收购Transphorm获得的耗尽型SuperGaN技术，而本次100V产品则是公司首款增强型GaN分立器件。2025年7月，瑞萨曾发布基于SuperGaN平台的650V第四代增强型GaN FET，面向AI数据中心、服务器电源和电动汽车充电等千瓦级应用。
此次100V低压产品的推出，标志着瑞萨GaN产品线正式覆盖从低压到高压的完整区间。随着AI数据中心、人形机器人等新兴领域对功率密度和能效要求持续提升，低压GaN器件有望迎来更广泛的市场需求。业内预计，瑞萨凭借完整的产品矩阵和已有的参考设计生态，将在GaN功率器件竞争中占据有利位置。
