美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM

美光预计2028年推出vHBM与vEIM

美光在当地时间10月21日举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD产品路线进行展望。此次会议中，堆叠集成的泛HBM内存成为关注焦点。美光预计，在标准HBM5于2028年面世的同时，两种新型3DS内存vHBM和vEIM也将到来。

按照美光的设想，vHBM可理解为3D集成版本的HBM。该产品将垂直堆叠DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片。通过这种堆叠方式，vHBM能够进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。美光同时表示，vHBM可以与标准2.5D HBM共存。

另一项产品vEIM在结构上与vHBM类似，但设计目标不同。vEIM瞄准端侧AI推理场景，初代产品计划实现2TB/s带宽和低于1pJ/bit的能效。这一指标显示，美光希望将堆叠内存的带宽优势延伸至边缘推理设备。

在实现路径上，美光计划为vHBM和vEIM应用无凸块的混合键合技术。该技术被视为推动3D集成内存落地的关键环节。同时，美光还计划导入集成散热解决方案，以配合堆叠结构带来的散热需求。

从产品节奏看，vHBM与vEIM均被放在2028年这一时间节点。届时，标准HBM5也将面世，形成标准HBM、vHBM以及vEIM并行的产品组合。vHBM可与标准2.5D HBM共存，意味着美光希望在现有生态基础上推进3D集成方案。

对于AI计算和端侧推理而言，内存带宽与能效是影响系统性能的重要因素。美光提出的vHBM通过垂直堆叠逻辑主芯片与DRAM，目标是缩短通信路径并降低能耗。vEIM则直接面向端侧AI推理，提出2TB/s带宽和低于1pJ/bit的能效目标。

美光在2026年度技术网络研讨会上将DRAM、泛HBM、NAND与SSD纳入整体展望，显示其正在为后HBM5阶段布局。随着2028年标准HBM5、vHBM和vEIM预计到来，堆叠集成内存的路线图进一步清晰。美光计划以混合键合和集成散热方案支撑这些产品，后续落地进展仍有待观察。

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