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长江存储据称正研发9600 MT/s LPDDR5X内存 计划推进量产
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- 荷鲁斯快报
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中国闪存芯片制造商长江存储正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM内存领域。据Counterpoint Research近期披露，该公司正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。此举意味着长江存储正尝试进入由三星、SK海力士、美光等企业长期主导的DRAM市场。
报告称，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标数据传输速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆。该项目仍处于研发与测试阶段，报告并未表示产品已经进入大规模商业生产。在此基础上，长江存储还在开发速度更高的9600 MT/s版本。
新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构，并计划在第三座晶圆厂推进量产。现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产。该技术路线的关键在于进一步缩小DRAM存储单元的占用面积。传统DRAM通常采用6F²存储单元布局，4F²架构则试图通过垂直排列晶体管等结构减少每个存储单元所占的平面面积。
如果4F²架构能够在先进工艺下实现稳定制造，理论上就有机会提升DRAM芯片的集成密度，并为降低单位容量成本创造空间。不过，这种架构也面临晶体管结构、制造工艺、漏电控制、可靠性和良率等方面的挑战。即使实验室原型能够达到目标速度，也不意味着它已经具备大规模商业生产所需要的综合性能。
长江存储以NAND闪存业务闻名，其Xtacking技术通过将存储阵列与外围电路分别制造，再进行键合整合，提高了闪存设计和制造的灵活性。Counterpoint Research认为，长江存储正在尝试将相关技术经验延伸到DRAM领域。但NAND与DRAM在存储单元结构、工作机制和制造要求上存在明显区别，不能简单认为闪存领域的成功可以直接复制到内存市场。
长江存储并非唯一尝试4F²架构的中国存储厂商。另一家DRAM制造商长鑫存储也在探索这一技术路线，并计划在2026年底前推出基于4F²架构的DDR5注册双列直插内存模块，但该计划同样面临技术验证和量产可行性方面的不确定性。国际存储巨头对4F²架构的前景则持谨慎态度，美光科技此前曾公开质疑这种存储单元结构在进一步微缩过程中存在根本性问题，认为其规模化应用仍有难以克服的技术障碍。
长江存储进军DRAM市场的时机也与全球存储行业的供需变化有关。人工智能数据中心快速扩张，带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长，三星、SK海力士和美光正将大量资源投入人工智能相关存储产品。Counterpoint Research指出，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况以及第三座晶圆厂的量产执行情况，都是后续需要重点观察的指标；目前尚无足够公开信息证明该产品已经实现目标性能，也没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息。
