Z2RAM 拟绕开 EUV 光刻，4 年内送样

前英特尔首席执行官帕特·基辛格正通过风投机构Playground Global支持内存初创公司Nagare Labs，开发下一代存储技术Z2RAM。Nagare Labs近期完成由Playground Global领投的500万美元种子轮融资，约合3340.5万元人民币。该公司的目标是打造兼具SRAM速度与DRAM密度的AI计算内存，以缓解“内存墙”瓶颈。

Z2RAM由佐治亚理工学院研究者苏曼·达塔与于世萌创立的Nagare Labs研发。该技术采用氧化物半导体材料，并计划通过3D混合键合直接集成在逻辑芯片上方。这一定位面向AI计算对高带宽、低延迟和高密度内存的需求。

Z2RAM的关键卖点是使用标准后端工艺（BEOL）。它无需极紫外光刻（EUV），可通过单次曝光形成多层存储结构。报道指出，这有望提升密度，并降低制造复杂度与成本。

与传统DRAM依赖电容存电荷不同，Z2RAM采用基于晶体管的存储单元。该设计可实现非破坏性读取，从而有望降低访问延迟。初创公司还计划像NAND闪存那样垂直堆叠存储单元，初期实现方案的目标比特密度可达SRAM的5倍以上。

若技术推进顺利，Z2RAM可能为AI计算内存提供新路径。其无需EUV和BEOL集成的特点，可能降低对先进光刻的依赖。不过，这些优势仍取决于原型验证和制造工艺成熟度。

目前Z2RAM仍处于实验室原型阶段。Nagare Labs正在寻找研发制造合作伙伴，以突破大学洁净室的产能限制。公司计划在四年内推出可工作的Z2RAM内存芯片样品，并在未来十年内实现商业化交付。

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