SK海力士450亿美元纽约建厂计划遭遇阻碍扩产融资陷入两难

路透社11月3日援引知情人士消息称，SK海力士纽约州约450亿美元NAND建厂计划遇阻。美国商务部尚未批准其向中国大连工厂出口更多美制半导体设备。SK海力士希望以中国工厂扩产收入支持美国项目。

该计划由SK海力士美国子公司Solidigm推进，拟在纽约州马西建设两座NAND闪存工厂，初期投资约450亿美元，长期总额可能达1000亿美元。NAND广泛用于固态硬盘、服务器和数据中心，AI基础设施建设正推高需求。

SK海力士希望先扩大大连工厂产能。知情人士称，大连工厂Mod B区域厂房2023年已建成，但因存储市场低迷未完成全部设备安装。公司已申请许可，拟将更多美制设备运往大连填充空置洁净厂房，但审批迟迟未完成。

Solidigm高管自8月底以来已与美国商务部官员进行近10次会谈。最近一次会谈中，副部长Jeffrey Kessler仍坚持不允许通过新增美制设备升级或扩大中国工厂产能。不过，针对大连空置洁净空间的设备申请尚未被正式否决，双方还在讨论2027年度出口许可。

这使特朗普政府面临两难：既希望吸引海外芯片商赴美投资并创造就业，又限制先进芯片技术流向中国。美国中国经济与安全审查委员会成员Leland Miller称，项目推进离不开白宫批准，政府须在国家安全与吸引外资间权衡。纽约州官员希望数周内明确许可，因联邦投资税收抵免政策将在2026年底到期。

Solidigm表示，正评估不同战略方案，研究全球不同地点建设NAND工厂的可能性，但尚未就选址或方案作出最终决定。SK海力士还在讨论租用英特尔俄亥俄州工厂部分设施，并在印第安纳州建设先进封装工厂。若纽约两座NAND工厂落地，将成为美国近年最大半导体投资项目之一，但推进受对华设备出口政策直接影响。